{"created":"2023-06-20T13:20:16.283896+00:00","id":277,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"a01e4c8e-89e6-48e8-89e7-84a054246c7e"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"277","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"277"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:ir.soken.ac.jp:00000277","sets":["2:427:10"]},"author_link":["7974","7976","7975"],"item_1_creator_2":{"attribute_name":"著者名","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"鈴木, 厚志"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_1_creator_3":{"attribute_name":"フリガナ","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"スズキ, 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  一方､C60(TMBI)の磁化率の逆数x1の温度変化は､C60(TDAE)の場合と異なり非常に直線的であり､Weiss温度θ～-2Kを示している｡解析を行った結果､温度に依存しない磁化率x0とC60(TDAE)よりも弱い負のWeiss温度θ=-1.85Kを持ったCurie-Weiss磁化率との和に従うことが分かった｡Curie定数からスピン濃度4.2781xl021spins　mol　1が得られた｡この錯体の温度T=5Kの等温磁化曲線は高磁場､低磁場領域ともにヒステリシスを示さず､強磁性体にはならないことが示された｡従って､このようなC60錯体において電子供与体の種類を変えることによってその磁気的挙動は著しく変化することが分かった｡\n　拡散法によって育成された“結晶”について実体顕微鏡を用いてその形態を観察したところ針状と板状の二種類の“結晶”が存在し､中には針状のものが集まりブロック状の塊を示すものがあった｡これらの“結晶”のX線振動写真にけ､広角側に弱いストリークが出ているが､強いスポットも数多く観察され結晶であることが分かった｡従って､この方法を用いることによってC60(TDAE)の単結晶を作成することが可能となり､現在ではさらに良質のサイズの大きい結品を作成するために溶媒､温度等の作成条件について検討を行っている｡\n　この強磁性体が遍歴強磁性体であるかどうか明らかにするために先の方法にて育成したC60(TDAE)単結晶を用いて二端子法によりその導電性を測定したところ室温の抵抗はρ～105Ωを示し､その温度依存性は半導体特性を示した｡従って､C60(TDAE)は遍歴強磁性体とはいえない可能性がある｡","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_18":{"attribute_name":"フォーマット","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"application/pdf","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_7":{"attribute_name":"学位記番号","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"総研大甲第126号","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_select_14":{"attribute_name":"所蔵","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"有"}]},"item_1_select_8":{"attribute_name":"研究科","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"数物科学研究科"}]},"item_1_select_9":{"attribute_name":"専攻","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"08 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