{"created":"2023-06-20T13:20:17.710062+00:00","id":299,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"cd0b18e2-9241-4641-9e40-1ae2a6a51109"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"299","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"299"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:ir.soken.ac.jp:00000299","sets":["2:427:10"]},"author_link":["8030","8028","8029"],"item_1_creator_2":{"attribute_name":"著者名","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"佐藤, あかね"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_1_creator_3":{"attribute_name":"フリガナ","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"サトウ, アカネ"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_1_date_granted_11":{"attribute_name":"学位授与年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_dategranted":"1999-03-24"}]},"item_1_degree_grantor_5":{"attribute_name":"学位授与機関","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreegrantor":[{"subitem_degreegrantor_name":"総合研究大学院大学"}]}]},"item_1_degree_name_6":{"attribute_name":"学位名","attribute_value_mlt":[{"subitem_degreename":"博士（理学）"}]},"item_1_description_12":{"attribute_name":"要旨","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"［はじめに］\n　かっては複雑な系と考えられ、伝統的な物性研究からは比較的遠い存在であった分子性伝導体は、近年の急激な研究進展によって、良く定義されたフェルミ面を持つ”きれいな系”である事が証明され、物性研究にとって非常に重要な位置を占めるようになった。また、分子性伝導体は設計可能という特性を持ち、1980年代には、それ以前の一次元金属とは異なる二次元金属の設計条件が明確となり、更に新たな系の開発への基礎を提供している。本研究では、三次元的バンド構造を持つ分子性金属の開発を目指し、M(dmise)2分子（dmise＝1，3-dithiole-2-selenoxo-4，5-dithiolate）に基づく伝導体の合成、構造、物性の研究を行った。また、遷移金属錯体分子による初めての常圧超伝導体（EDT-TTF）［Ni(dmit)2］の類似超伝導体をM(dmise)2分子を用いて合成する事を目的とし、EDT-TTF類似πドナー分子の合成を行った。超伝導体は得られなかったが、一連のEDT-TTF類似ドナー分子の伝導体につき系統的研究を行い、その低温相について、代表的な有機伝導体であるTMTSF系等とは異なる特性を持つことを見出した。また最近、関心が高まってきた局在スピンと伝導電子が共存するBETS伝導体系の検討も併せ行った。\n［1］ 有機伝導体は一般に金属不安定性を引き起こす傾向が強いが、これは電子構造の低次元性が原因である。これまで三次元金属バンドを持つ分子性伝導体としてはC60伝導体が良く知られているが、系が不安定性であるために大きな発展がなされていない。ここでは従来の分子性伝導体より高次元的な電子構造をも持つ化合物の構築を目指し、M(dmise)2からなる伝導体を合成した。M(dmise)2は、金属的伝導体を多く形成することで知られているM(dmit)2の分子末端のチオケトンをセレノケトンに置換した分子であり、末端セレン原子を介したカラム間相互作用が期待される。\n（1.1）［(CH3)3HN］［Ni(dmise)2］2 と［(CH3)2H2N］［Ni(dmise)2］2 では、期待通りバンド計算より平面共役系分子の形成する伝導体としては初めて三次元的電子構造を持つことが示唆された（Fig. 1）。またこれらの塩の電気抵抗は室温付近で金属的な挙動を示した。\n（1.2）M(dmise)2系としては初めて低温まで金属的伝導性を保つ塩、Cs［Pd(dmise)2］2および（N,N-dimethylpiperidinium）［Ni(dmise)2］2を作成した。後者については、磁化率の温度変化を調べ、一見、金属性とは反する大きな常磁性が得られている。\n［2］ EDT-TTFが形成する電荷移動錯体は、ほとんどの場合、擬一次元的な電子構造をとる傾向がある。擬一次元的な分子性伝導体においては、(TMTTF)2Xや(TMTSF)2X等の一連の”TM系”伝導体で、温度 - 圧力相図が詳細に調べられていることは有名である。本研究では、類似の電子構造を持つことが期待される(EDT-TTF)2GaCl4とそのセレン置換類縁体、(EDST)2GaCl4と(EDTS)2GaCl4を作成した。TM系ではSP（スピンバイエルス）相、SDW（スピン密度波）相、SC（超伝導）相が隣接していることは良く知られている。本研究の結果(EDT-TTF)2X系では、TM系と異なり、SP相に隣接する相はSDW相ではなく非磁性絶縁相であることが示された。また、超伝導相は見出されていない。\n［3］ 近年、分子性伝導体に取り込まれた磁性金属イオンの役割について特に大きな関心が寄せられている。ここでは金属一絶縁体転移を起こすλ-(BETS)2FeCl4と超伝導を示すλ-(BETS)2GaCl4とが良質の合金系結晶を与えることを見出し、λ-(BETS)2(FexGa1-x)Cl4の結晶を作成し、Fe3+とGa3+の混晶比によって物性がどのように変化するかを主に磁化率に注目して検討した。x＞0.5の領域では金属一絶縁体転移を起こす力瓢これと同時にFe間に反強磁性的な秩序化が観測された（Fig. 3）。逆にxく0.5では超伝導状態が実現したが（Fig. 3）、特に興味深いことに、x = 0.4付近の組成では、前例にない超伝導一反強磁性転移が見出され（Fig. 4）、その超伝導状態でのマイスナー体積は100％に近いことが明らかになった。","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_18":{"attribute_name":"フォーマット","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"application/pdf","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_7":{"attribute_name":"学位記番号","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"総研大甲第381号","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_select_14":{"attribute_name":"所蔵","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"有"}]},"item_1_select_8":{"attribute_name":"研究科","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"数物科学研究科"}]},"item_1_select_9":{"attribute_name":"専攻","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"08 機能分子科学専攻"}]},"item_1_text_10":{"attribute_name":"学位授与年度","attribute_value_mlt":[{"subitem_text_value":"1998"}]},"item_1_version_type_23":{"attribute_name":"著者版フラグ","attribute_value_mlt":[{"subitem_version_resource":"http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa","subitem_version_type":"AM"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"SATO, Akane","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_files":{"attribute_name":"ファイル情報","attribute_type":"file","attribute_value_mlt":[{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2016-02-17"}],"displaytype":"simple","filename":"甲381_要旨.pdf","filesize":[{"value":"378.0 kB"}],"format":"application/pdf","licensetype":"license_11","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"要旨・審査要旨 / Abstract, Screening Result","url":"https://ir.soken.ac.jp/record/299/files/甲381_要旨.pdf"},"version_id":"b0c476b8-94b3-48d9-9809-858826a5c12f"},{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2016-02-17"}],"displaytype":"simple","filename":"甲381_本文.pdf","filesize":[{"value":"14.1 MB"}],"format":"application/pdf","licensetype":"license_11","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"本文 / Thesis","url":"https://ir.soken.ac.jp/record/299/files/甲381_本文.pdf"},"version_id":"d46d4d08-6235-4371-9565-ba3be772d026"}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"eng"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"thesis","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec"}]},"item_title":"Development and Characterization of NewMolecular Conductors Based on theMulti-Chalcogen π-Molecules","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"Development and Characterization of NewMolecular Conductors Based on theMulti-Chalcogen π-Molecules"},{"subitem_title":"Development and Characterization of NewMolecular Conductors Based on theMulti-Chalcogen π-Molecules","subitem_title_language":"en"}]},"item_type_id":"1","owner":"1","path":["10"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2010-02-22"},"publish_date":"2010-02-22","publish_status":"0","recid":"299","relation_version_is_last":true,"title":["Development and Characterization of NewMolecular Conductors Based on theMulti-Chalcogen π-Molecules"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":1},"updated":"2023-06-20T14:57:28.630478+00:00"}