{"created":"2023-06-20T13:20:18.957285+00:00","id":318,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"8a6f5eda-3def-4b71-bea9-612d72f87393"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"318","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"318"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:ir.soken.ac.jp:00000318","sets":["2:427:10"]},"author_link":["8083","8085","8084"],"item_1_creator_2":{"attribute_name":"著者名","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"長屋, 州宣"}],"nameIdentifiers":[{}]}]},"item_1_creator_3":{"attribute_name":"フリガナ","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"ナガヤ, 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rapid passage（ARP）を使う方法が一般的であり、そのために遷移に要する時間が必然的に長くなってしまう。ところが、彼らの周期チャープパルスあるいは線形チャープパルス列による方法を用いると、πパルスやARPに比べて遷移時間を不確定性関係から決まる限界の時間にまで大幅に短縮することが出来ることが分かった。従って彼らの方法は緩和の速い系に対してかなり有益であると思われる。\n　線形チャープパルス列による制御法を二原子分子の二つの束縛状態間の電子励起に応用した。あるポテンシャルエネルギー曲面上に局在した波束を作ることは、そのポテンシャルエネルギ一曲面の情報を引き出したりするのに非常に重要となる。セシウムダイマーを例に取って波東計算を実行したところ、線形チャープパルス列を用いると、πパルスや位相ロックパルスに比べて励起確率や励起波束の局在性がパルス面積の変化に対して非常に安定であることが分かった。これには、非断熱遷移が共鳴周波数付近で局所的に起こるためである。また、ARPに比べて必要なパルス面積が大幅に小さいことも分かった。彼らの方法は、完全な遷移確率で局在した励起波束を生成するのに非常に優れている。\n　（2）に関しては、非断熱トンネル型遷移において中村等によって発見された完全反射現象という量子力学的干渉効果を利用して分子の光解離分岐を選択的に制御する方法を提案した。定常レーザー場を分子に照射することによって、左右に解離チャンネルを持つ励起電子状態と一光子分のエネルギーだけ上にシフトした基底電子状態との間に二つの非断熱トンネル型ポテンシャル曲線交差を作り出す。一方の曲線交差で完全反射が起こるとその方向への解離は完全に制御され、反対側のチャンネルへの解離のみが起こる。レーザー周波数と最初の振動励起状態を適切に選ぶことによって、どちらのチャンネルへも選択的に解離を起こすことが出来る。この制御法は一次元のポテンシャル系に対しては完全に選択的である。二次元のポテンシャル系において制御が上手く働くためには、最初に用意する振動励起状態がポテンシャル交差の周辺でローカルモードの性質を強く持っている必要があり、ポテンシャルエネルギー曲面の多次元性のために完全な制御は困難であるが、かなり選択的な制御が可能であることを実証した。\n　また、二つの解離性ポテンシャルエネルギー曲線がある核間距離で強く結合している場合にその非断熱解離過程を選択的に制御する方法を提案した。定常レーザー場を照射すると、二つの解離性ポテンシャルエネルギー曲線の間に二つの擬交差が光誘起され、元々のポテンシャルエネルギ一曲線を伝播する波束と一光子分のエネルギーだけシフトしたポテンシャルエネルギ一曲線を伝播する波束に分岐してそれらの間で干渉が起こる。定常レーザー場の強度によって光誘起された擬交差で起こる分岐の割合を、レーザー周波数によって二つの経路間で生じる位相差を調節することにより選択的な解離を実現することが出来る。この制御法をNaIの前期解離過程に応用し、Na＋IとNa+ ＋I-の二つの解離チャンネルのうちNa＋Iチャンネルへの分岐を大幅に増やすことが出来ることを実証した。\n　レーザー場中の原子・分子過程をフロケ状態間で起こる一連の非断熱遷移とみなし、非定常レーザー場による時間依存非断熱遷移の制御あるいは定常レーザー場による時間非依存非断熱遷移の制御という観点から、様々な原子・分子過程の制御方法を非断熱遷移の半古典理論を用いて解析的に考案した。このように解析的に設計されたレーザー場の形は非常に簡単でかつその物理的解釈が明快であるために、実験での実現が強く期待される。","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_18":{"attribute_name":"フォーマット","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"application/pdf","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_description_7":{"attribute_name":"学位記番号","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"総研大甲第582号","subitem_description_type":"Other"}]},"item_1_select_14":{"attribute_name":"所蔵","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"有"}]},"item_1_select_8":{"attribute_name":"研究科","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"数物科学研究科"}]},"item_1_select_9":{"attribute_name":"専攻","attribute_value_mlt":[{"subitem_select_item":"08 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