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放射光励起シリコンガスソース分子線エピタキシーにおけるSi(100) 表面上のSiHnの検出と膜形成機構
https://ir.soken.ac.jp/records/168
https://ir.soken.ac.jp/records/168b51c086a-e7de-480f-9abc-ca4fbefe4c1a
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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要旨・審査要旨 / Abstract, Screening Result (315.7 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2010-02-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 放射光励起シリコンガスソース分子線エピタキシーにおけるSi(100) 表面上のSiHnの検出と膜形成機構 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| 著者名 |
吉越, 章隆
× 吉越, 章隆 |
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| フリガナ |
ヨシゴエ, アキタカ
× ヨシゴエ, アキタカ |
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| 著者 |
YOSHIGOE, Akitaka
× YOSHIGOE, Akitaka |
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| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | 総合研究大学院大学 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士（理学） | |||||
| 学位記番号 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 総研大甲第188号 | |||||
| 研究科 | ||||||
| 値 | 数物科学研究科 | |||||
| 専攻 | ||||||
| 値 | 07 構造分子科学専攻 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 1996-03-21 | |||||
| 学位授与年度 | ||||||
| 値 | 1995 | |||||
| 所蔵 | ||||||
| 値 | 有 | |||||
